CdS/CdTe-apparaat voor röntgenopsporing

Ioniserende stralingsdetectoren zijn voornamelijk afhankelijk van materialen die decennia geleden zijn vervaardigd, ze zijn gemaakt door enkele kristalscintillatoren cesium en natriumjodide (CsI, NaI) of halfgeleiders zoals silicium (Si), hoogzuiver germanium (HPGe), en met gas gevulde buizen. Echter, de bestaande materialen hebben enkele nadelen, NaI (Tl) heeft een slechte resolutie, (Si) heeft een slechte efficiëntie, terwijl (HPGe) vereist koelsysteem en allemaal zijn hoge kosten. In de afgelopen jaren is er internationaal geïnvesteerd in de ontwikkeling van een reeks samengestelde halfgeleiders met een brede bandkloof en een hoog atoomnummer voor X- en gammastralingsdetectoren. Onder de samengestelde halfgeleiders is cadmiumtelluride (CdTe) een van de meest veelbelovende materialen voor stralingsdetectoren met een goede energieresolutie, hoge detectie-efficiëntie en werking bij kamertemperatuur. In dit boek is een gestapelde röntgendetector gefabriceerd, waarbij Mo/CdTe/CdS/FTO-apparaten zijn gestapeld en als één enkele detector werken.