KO‘P QATLAMLI GETEROTUZILMA ASOSIDAGI LAZERLAR

(100) tartibli monokristall n-GaAs tagliklarga suyuq fazali epitaksiya usulida (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y ko’p qatlamli plyonkalar asosidagi lazer materillari ilk bor o‘stirildi; olingan (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y ko’p qatlamli plyonkalar asosidagi lazer materillari taglik tartib-lanishiga mos ravishda (100) tartibli, blok o‘lchamlari 52 nmli monokristal hisoblanib, sfalerit tuzilishga ega ekanligi isbotlandi; Ge2 molekulalari GaAs molekulalari bilan qisman o‘rin almashgan hol-da joylashib, asosiy panjara bloklarini shakllantirishi va bloklarning bo‘linish chegarasi bo‘ylab nuqsonga moyil sohalarida ortiqcha Ge atomlari o‘lchami 44 nm bo‘lgan nanokristallarni shakllantirishi aniqlandi; ZnSe kvant nuqta geometrik o‘lchamlari qiymatlarini, shuningdek, n-Si-р-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y geterotuzilmasini mukammaligini boshqarish orqali GaAs va uning qattiq qorishmalari asosida samarali, qulay va arzon lazer materillarining ehtiyot qismlarini tayyorlash mumkin.