ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КЛАСТЕРОВ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ НИКЕЛЯ В КРЕМНИИ

В современной полупроводниковой технологии важной проблемой является получение материалов с заданными электрофизическими свойствами и изготовление приборов на их основе с необходимыми параметрами. Известно, что легирование полупроводников примесями, создающими глубокие энергетические уровни (ГЭУ), - один из основных способов формирования свойств полупроводниковых материалов. Из известных на сегодняшний день полупроводниковых материалов наиболее широко применяемым и перспективным в науке и технике является кремний. Характерной особенностью кремния, как и других полупроводниковых материалов, является высокая чувствительность ко всякому виду нарушений периодичности кристаллической решетки - дефектам кристалла. Исследование механизмов физических явлений, происходящих в легированном кремнии под влиянием внешних воздействий (температуры и радиации), необходимо для повышения термо- и радиационной стабильности электрофизических и рекомбинационных свойств кремния и является одним из актуальных направлений физики твердого тела.